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制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  戴瑞烜;  陈诺夫;  彭长涛;  王鹏
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折射率色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响 期刊论文
光子学报, 2007, 卷号: 36, 期号: 7, 页码: 1202-1206
Authors:  白一鸣;  陈诺夫;  彭长涛;  梁平
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用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  尹志冈;  杨霏
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在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  陈晨龙
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红外线探测材料GaAs 基InAsSb 薄膜的生长和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
Authors:  彭长涛
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色散效应对GaAs太阳电池双层减反射膜的影响 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 725-729
Authors:  白一鸣;  陈诺夫;  戴瑞炬;  王鹏;  彭长涛
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铁磁／半导体异质结材料MnSb／Si的物理气相沉积生长 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 494-498
Authors:  彭长涛;  陈诺夫;  张富强;  林兰英
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非掺杂n型氮化镓外延层的光致发光 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 431
Authors:  彭长涛;  陈诺夫;  林兰英;  柯俊
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