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新型Si基纳米阵列结构及其光电特性 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  白安琪
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Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 028101-1-028101-5
Authors:  苏少坚;  汪巍;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华;  成步文;  王启明
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Fabrication of Silicon-Based Template-Assisted Nanoelectrode Arrays and Ohmic Contact Properties Investigation 期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 Sp. Iss. SI, 页码: 7428-7431
Authors:  Bai AQ (Bai Anqi);  Cheng BW (Cheng Buwen);  Wang XF (Wang Xiaofeng);  Xue CL (Xue Chunlai);  Zuo YH (Zuo Yuhua);  Wang QM (Wang Qiming);  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Anodic Alumina Films  Nanowire Arrays  Porous Alumina  Nanocrystals  
硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管 期刊论文
激光与光电子学进展, 2010, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 14-14
Authors:  胡炜玄;  成步文;  薛春来;  薛海韵;  苏少坚;  白安琪;  罗丽萍;  俞育德;  王启明
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用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 7, 页码: 4997-5001
Authors:  白安琪;  胡迪;  丁武昌;  苏少坚;  胡炜玄;  薛春来;  樊中朝;  成步文;  俞育德;  王启明
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GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  成步文;  薛春来;  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  苏少坚;  白安琪;  薛海韵
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半导体纳米柱阵列结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183395.5, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  白安琪;  成步文;  左玉华;  王启明
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在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
Inventors:  苏少坚;  汪巍;  成步文;  王启明;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华
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