SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管
胡炜玄; 成步文; 薛春来; 薛海韵; 苏少坚; 白安琪; 罗丽萍; 俞育德; 王启明
2010
Source Publication激光与光电子学进展
Volume47Issue:3Pages:14-14
Abstract目前,硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破,并且与现有的微电子工艺完全兼容:硅基光波导在光通讯波段可以实现对光场的强限制以及低损耗传输; 通过外延高质量的锗薄膜, 实现了近红外波段的高速高量子效率的硅基光探测器; 调制速率高达30 GHz的基于硅基载流子等离子体色散效应的硅调制器也已经有报导
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家973计划,国家863计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3944695
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21556
Collection集成光电子学国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
胡炜玄,成步文,薛春来,等. 硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管[J]. 激光与光电子学进展,2010,47(3):14-14.
APA 胡炜玄.,成步文.,薛春来.,薛海韵.,苏少坚.,...&王启明.(2010).硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管.激光与光电子学进展,47(3),14-14.
MLA 胡炜玄,et al."硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管".激光与光电子学进展 47.3(2010):14-14.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
硅基室温电流注入Ge_Si异质结发光二极(291KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[胡炜玄]'s Articles
[成步文]'s Articles
[薛春来]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[胡炜玄]'s Articles
[成步文]'s Articles
[薛春来]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[胡炜玄]'s Articles
[成步文]'s Articles
[薛春来]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.