SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构
白安琪; 胡迪; 丁武昌; 苏少坚; 胡炜玄; 薛春来; 樊中朝; 成步文; 俞育德; 王启明
2009
Source Publication物理学报
Volume58Issue:7Pages:4997-5001
Abstract用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500-1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索.扫描电镜(SEM)测试结果表明该途径得到的纳米结构孔形态均匀且大面积有序,孔深度可达到125 nm.对该样品进行热氧化处理后进行光致发光(PL)测试,结果表明其光致发光机理是基于通常较微弱的TO声子辅助的硅带边发光,并实现了显著发光增强,对这种增强效果的物理机理进行了理论分析.该结构具有的独特光学特性为利用这一途径改变硅的弱发光性质,乃至实现硅基高效发光带来曙光.
metadata_83中国科学院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展计划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3540769
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15813
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
白安琪,胡迪,丁武昌,等. 用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构[J]. 物理学报,2009,58(7):4997-5001.
APA 白安琪.,胡迪.,丁武昌.,苏少坚.,胡炜玄.,...&王启明.(2009).用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构.物理学报,58(7),4997-5001.
MLA 白安琪,et al."用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构".物理学报 58.7(2009):4997-5001.
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