SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光
屈玉华; 江德生; 边历峰; 孙征; 牛智川; 徐晓华
2005
Source Publication发光学报
Volume26Issue:4Pages:507-512
Abstract嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3~1.5μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1.3μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰。变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现,高能峰只有在150K以上的测试条件下才能观测到,并且其相对强度随着温度的升高而增加,其调制光谱显示出第一类跃迁的特征。他们建立了理论模型,计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁,并与实验数据吻合得很好。同时初步讨论了改善1.3μm的低能峰发光的方法。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2235707
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16759
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
屈玉华,江德生,边历峰,等. GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光[J]. 发光学报,2005,26(4):507-512.
APA 屈玉华,江德生,边历峰,孙征,牛智川,&徐晓华.(2005).GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光.发光学报,26(4),507-512.
MLA 屈玉华,et al."GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光".发光学报 26.4(2005):507-512.
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