生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法
肖红领; 王晓亮; 王军喜; 张南红; 刘宏新; 曾一平
2005-12-07
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2004-06-02
语种中文
申请号CN200410046194.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3127
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
肖红领,王晓亮,王军喜,等. 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法[P]. 2005-12-07.
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