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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者:张书明
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25
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45
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期刊论文
作者:
Deng Y
;
Zhao DG
;
Wu LL
;
Liu ZS
;
Zhu JJ
;
Jiang DS
;
Zhang SM
;
Liang JW
;
Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang LJ
;
Zhang SM
;
Zhu JH
;
Zhu JJ
;
Zhao DG
;
Liu ZS
;
Jiang DS
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: smzhang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1451/361
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提交时间:2010/04/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun Q
;
Zhang JC
;
Huang Y
;
Chen J
;
Wang JF
;
Wang H
;
Li DY
;
Wang YT
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Zhou CL
;
Guo LP
;
Jia QJ
;
Sun, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qsun@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1251/348
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen J
;
Zhang SM
;
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Shen XM
;
Feng G
;
Liu JP
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zheng WC
;
Chen J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1075/349
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen J
;
Zhang SM
;
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Feng G
;
Shen XM
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zheng WC
;
Chen J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yang H
;
Zhang SM
;
Xu DP
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Fu Y
;
Sun YP
;
Feng ZH
;
Zheng LX
;
Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1413/238
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提交时间:2010/10/29
Mocvd
Gan
Ingan
Cubic
Led
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Phase Epitaxy
Ingan Films
Electroluminescence
Zincblende
Wurtzite
Mbe