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弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 875
Authors:  李代宗;  黄昌俊;  于卓;  成步文;  余金中;  王启明
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Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 53
Authors:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 962
Authors:  Yu Z(于卓);  Li DZ(李代宗);  Cheng BW(成步文);  Li C(李成);  Lei ZL(雷震霖);  Huang CJ(黄昌俊);  Zhang CH(张春辉);  Yu JZ(余金中);  Wang QM(王启明);  Liang JW(梁骏吾)
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用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 862
Authors:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 760
Authors:  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  王红杰;  于卓;  张春晖;  余金中;  王启明
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组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1111
Authors:  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  王红杰;  于卓;  张春晖;  余金中;  王启明
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Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善 期刊论文
材料研究学报, 2000, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 215
Authors:  李代宗;  于卓;  雷震霖;  成步文;  余金中;  王启明
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用Z扫描法测量a-Si/SiO_2多量子阱材料非线性折射率 期刊论文
光电子·激光, 1999, 卷号: 10, 期号: 5, 页码: 431
Authors:  周赢武;  郭亨群;  成步文
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