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| 提高聚合物太阳电池效率的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010554257.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 谭海仁; 张兴旺; 高红丽; 白一鸣; 张秀兰; 尹志岗 Adobe PDF(405Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1612/278  |  提交时间:2011/08/31 |
| 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德 Adobe PDF(285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1355/221  |  提交时间:2011/08/31 |
| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:888/103  |  提交时间:2014/12/25 |
| 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12 发明人: 杨少延; 张恒; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(894Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:676/79  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:901/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:852/85  |  提交时间:2014/10/29 |
| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1880Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:760/33  |  提交时间:2014/10/28 |
| 制备硅基砷化镓材料的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 周旭亮; 于红艳; 张心; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:594/73  |  提交时间:2014/10/31 |
| 同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 周文飞; 徐波; 叶小玲; 张世著; 王占国 Adobe PDF(1356Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:739/65  |  提交时间:2014/10/31 |
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30 发明人: 刘建明; 桑玲; 赵桂娟; 刘长波; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:854/105  |  提交时间:2014/10/24 |