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砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  白一鸣;  梁平;  王晓晖
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一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高永亮;  惠峰;  王文军
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一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高永亮;  惠峰;  王文军
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直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
收藏  |  浏览/下载:2097/0  |  提交时间:2010/04/13
六英寸半绝缘砷化镓单晶  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiao-Jie, Y (Yang Xiao-Jie);  Qing, W (Wang Qing);  Wen-Quan, M (Ma Wen-Quan);  Liang-Hui, C (Chen Liang-Hui);  Xiao-Jie, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nano Optoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yangxj@semi.ac.cn
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InN薄膜的三维生长及其对材料性质的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  王辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘宗顺;  赵德刚;  朱建军;  张书明;  段俐宏;  王海;  史永生;  刘文宝;  张爽;  江德生;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李德尧;  张书明;  王建峰;  陈俊;  陈良惠;  种明;  朱建军;  赵德刚;  刘宗顺;  杨辉;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王勇刚;  彭继迎;  檀慧明;  钱龙生;  柴路;  张志刚;  王清月;  林涛;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李亮;  王欣;  刘宇;  黄亨沛;  谢亮;  祝宁华
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