|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 郦伟江
 Adobe PDF(9838Kb) |  收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2020/08/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang B; Li ZC; Yao R; Liang M; Yan FW; Wang GH; Wang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lighting R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. wangbing@semi.ac.cn
Adobe PDF(761Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1554/374 | 提交时间：2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 贠利君; 魏同波; 刘乃鑫; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(1029Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1264/356 | 提交时间：2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王兵; 李志聪; 姚然; 梁萌; 闫发旺; 王国宏
Adobe PDF(761Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1410/194 | 提交时间：2011/08/16 |
| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(315Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1916/220 | 提交时间：2011/08/31 |
| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(212Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1485/264 | 提交时间：2011/08/31 |
| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(255Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1716/298 | 提交时间：2011/08/31 |
| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(279Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1518/288 | 提交时间：2011/08/31 |
| 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(301Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1838/288 | 提交时间：2011/08/31 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(495Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1528/153 | 提交时间：2011/08/31 |
