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无权访问的条目 学位论文
Authors:  王兵
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Low threading dislocation density in GaN films grown on patterned sapphire substrates 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 11, 页码: 113002
Authors:  Liang, Meng;  Wang, Guohong;  Li, Hongjian;  Li, Zhicong;  Yao, Ran;  Wang, Bing;  Li, Panpan;  Li, Jing;  Yi, Xiaoyan;  Wang, Junxi;  Li, Jinmin
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GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: 016108-1-016108-6
Authors:  王兵;  李志聪;  姚然;  梁萌;  闫发旺;  王国宏
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Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer 期刊论文
IEEE International Conference on Group IV Photonics GFP, 2011, 卷号: 32, 期号: 11, 页码: 114007
Authors:  Li, Zhicong;  Li, Panpan;  Wang, Bing;  Li, Hongjian;  Liang, Meng;  Yao, Ran;  Li, Jing;  Deng, Yuanming;  Yi, Xiaoyan;  Wang, Guohong;  Li, Jinmin;  Li, Z.(lizc@semi.ac.cn)
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Diodes  Electrostatic Devices  Electrostatic Discharge  Gallium Alloys  Gallium Nitride  Light Emission  
分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 335
Authors:  刘宝利;  王炳?;  徐仲英
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一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李璟;  王国宏;  李晋闽
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一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  王兵;  李志聪;  王国宏;  闫发旺;  姚然;  王军喜;  李晋闽
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一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李鸿渐;  李盼盼;  李璟;  王国宏;  李晋闽
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一种光斑可调的室内投影式照明系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
Inventors:  刘立莉;  杨华;  卢鹏志;  薛斌;  孔庆峰;  王兵;  李璟;  王军喜;  李晋闽
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一种投影式照明系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-15
Inventors:  杨华;  刘立莉;  卢鹏志;  薛斌;  孔庆峰;  王兵;  李璟;  王军喜;  李晋闽
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