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全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法
闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明涉及LED芯片技术领域,公开了一种全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法。该方法基于传统LED工艺流程,在不增加任何工艺步骤的基础上,通过合理的版图设计,实现LED芯片全侧壁粗化。在不增加任何生产成本的前提下,能有效提高LED的发光效率。本发明可通过常规LED工艺流程予以实现:首先对GaN外延片进行台面刻蚀,形成侧壁锯齿状粗化的GaN台面和N型GaN沟槽,其中GaN台面包括P型GaN、量子阱和N型GaN,在P型GaN表面制备侧壁锯齿状粗化的透明导电薄膜,然后在导电薄膜上制备P型电极,在沟槽内制备N型电极。
部门归属中科院半导体照明研发中心
专利号CN201010113819.0
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010113819.0
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22159
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
闫发旺,孙莉莉,张会肖,等. 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法. CN201010113819.0.
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