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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Y;  Zhao DG;  Le LC;  Jiang DS;  Wu LL;  Zhu JJ;  Wang H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu JH;  Wang LJ;  Zhang SM;  Wang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Jiang DS;  Yang H;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu JH;  Zhang SM;  Wang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Jiang DS;  Qiu YX;  Yang H;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘文宝;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  朱建军;  张书明;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Wang H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Wang YT;  Jia QJ;  Yang H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  张爽;  赵德刚;  刘文宝;  孙苋;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  王辉;  段俐宏;  杨辉
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一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  卢国军;  朱建军;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  杨辉
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一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226677.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  王辉;  朱建军;  张书明;  杨辉
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GaN基光电子器件表面粗化的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237781.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  王辉;  朱建军;  张书明;  杨辉
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一种InGaN半导体光电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263078.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  王辉;  朱建军;  张书明;  杨辉
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