|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 金属有机物化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人: 段瑞飞 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
 Adobe PDF(435Kb) |  收藏 | 浏览/下载：2333/550 | 提交时间：2010/08/12 |
| 在蓝宝石上生长大尺寸高质量氧化锌单晶厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人: 何金孝; 段 尭; 曾一平; 李晋闽; 王晓峰
Adobe PDF(601Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1287/239 | 提交时间：2010/03/19 |
| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
Adobe PDF(556Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1574/269 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种氮化物材料外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(542Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1140/199 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(541Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1082/215 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(616Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1336/234 | 提交时间：2009/06/11 |
| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(724Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1515/233 | 提交时间：2009/06/11 |
| 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 李晋闽; 王军喜; 王晓亮; 王启元; 刘宏新; 王俊; 曾一平
Adobe PDF(429Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1284/227 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平
Adobe PDF(449Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1363/197 | 提交时间：2009/06/11 |
| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强
Adobe PDF(457Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1577/189 | 提交时间：2009/06/11 |
