金属有机物化学气相沉积装置
段瑞飞; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
2010-08-12
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2010-02-24 ; 2010-08-12
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种金属有机物化学气相沉积装置,其特征在于,包括:一反应室,该反应室用于同时生长氮化物和氧化锌的半导体外延薄膜材料;一有机源通道,该有机源通道的一端与反应室的一入口连接,用于为反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供金属源材料;一气源通道,该气源通道的一端与反应室的另一入口连接,用于为反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供氮源或者氧源;一气路分配单元,该气路分配单元的输出端与有机源通道和气源通道的另一端连接;一有机源,该有机源通过管路与气路分配单元的输入端连接;一载气,该载气通过管路与气路分配单元的输入端连接;一气源,该气源通过管路与气路分配单元的输入端连接。
申请日期2008-08-20
语种中文
专利状态实质审查的生效
申请号CN200810118737.8
专利代理人汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13382
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
段瑞飞,王军喜,王国宏,等. 金属有机物化学气相沉积装置[P]. 2010-08-12.
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