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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li J (Li Jun);  Chang K (Chang Kai);  Peeters FM (Peeters F. M.);  Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(209Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1348/432  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding K;  Zeng YP;  Duan RF;  Wei XC;  Wang JX;  Ma P;  Lu HX;  Cong PP;  Li JM;  Ding K Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dingkai@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1451/608  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li J (Li Jun);  Chang K (Chang Kai);  Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(118Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：945/278  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  廖凌宏;  周志文;  李成;  陈松岩;  赖虹凯;  余金中;  王启明
Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1263/349  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  周志文;  蔡志猛;  张永;  蔡坤煌;  周笔;  林桂江;  汪建元;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  余金中;  王启明
Adobe PDF(728Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1276/412  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张永;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  康俊勇;  成步文;  王启明
Adobe PDF(760Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1085/331  |  提交时间：2010/11/23
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李凯;  叶小玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin GJ (Gui-Jiang, Lin);  Zhou ZW (Zhou Zhi-Wen);  Lai HK (Lai Hong-Kai);  Li C (Li Cheng);  Chen SY (Chen Song-Yan);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Lin, GJ, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang Xiu-Wen);  Fan WJ (Fan Wei-Jun);  Chang K (Chang Kai);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Fan, WJ, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg
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