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| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1186/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁控溅射仪衬底固定夹具 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王鹏; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏 Adobe PDF(452Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1039/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏; 柴春林 Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1445/202  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1255/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨霏; 陈诺夫 Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1108/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 刘立峰; 尹志刚; 杨菲; 柴春林 Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1059/169  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 杨霏 Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1040/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 杨霏; 尹志岗; 柴春林; 吴金良 Adobe PDF(238Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1085/152  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁控溅射靶的制造方法及该方法使用的模具 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 尹志岗; 杨霏; 陈诺夫; 吴金良; 柴春林 Adobe PDF(389Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1013/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 发光二极管封装结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨华; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1399/231  |  提交时间:2012/09/09 |