在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法
杨霏; 陈诺夫
2006-08-30
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2005-02-23
语种中文
申请号200510052401
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3367
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
杨霏,陈诺夫. 在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法[P]. 2006-08-30.
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