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| 生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994 发明人: 范海波; 杨少延; 张攀峰; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1402/249  |  提交时间:2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhou B; Pan SW; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu JZ; Zhu XF; Chen SY Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Fujain Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn Adobe PDF(246Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1189/347  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhou B; Pan SW; Chen R; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu; JZ; Zhu XF; Chen, SY, Xiamen Univ, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn Adobe PDF(2030Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1176/278  |  提交时间:2010/04/04 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Li YH; Walsh A; Chen SY; Yin WJ; Yang JH; Li JB; Da Silva JLF; Gong XG; Wei SH; Li YH Fudan Univ Dept Phys Shanghai 200433 Peoples R China. E-mail Address: a.walsh@ucl.ac.uk; swei@nrel.gov Adobe PDF(90Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1231/482  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Jia CH; Chen YH; Zhou XL; Yang AL; Zheng GL; Liu XL; Yang SY; Wang ZG; Jia CH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn Adobe PDF(197Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1211/393  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD; Li C Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Peoples R China. E-mail Address: lich@xmu.edu.cn Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1468/563  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Jia CH; Chen YH; Liu GH; Liu XL; Yang SY; Wang ZG; Jia CH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1291/418  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明 Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1263/349  |  提交时间:2010/11/23 |
| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(1055Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1218/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(843Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1193/186  |  提交时间:2009/06/11 |