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| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源 ; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人: 闫方亮; 张锦川; 姚丹阳; 谭松; 王利军; 刘峰奇; 王占国
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| 量子点级联激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 刘峰奇; 卓宁; 李路; 邵烨; 刘俊岐; 张锦川; 王利军; 王占国
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 用于碳化硅生长的高温装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 闫果果; 刘胜北; 田丽欣; 申占伟; 王雷; 赵万顺; 张峰; 孙国胜; 曾一平
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| 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 项若飞; 汪连山; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 张恒; 冯玉霞; 焦春美; 魏鸿源; 杨少延; 王占国
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| 碳化硅中间带太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 王科范; 张光彪; 丁丽; 刘孔; 曲胜春; 王占国
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| 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 孔苏苏; 李辉杰; 冯玉霞; 赵桂娟; 魏鸿源; 杨少延; 王占国
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