半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法
项若飞; 汪连山; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 张恒; 冯玉霞; 焦春美; 魏鸿源; 杨少延; 王占国
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2014-04-14
申请号CN201410147977.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27401
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
项若飞,汪连山,赵桂娟,等. 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法.
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半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法.(1070KB) 限制开放使用许可请求全文
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