中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1315/180  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Li JC;  Zhou H;  Wang H;  Wang B;  Yan H;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(164Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1381/439  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Li CM;  Zhang ZY;  Liu FQ;  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Jin, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(105Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1507/532  |  提交时间：2010/03/09
新型GaAs 基长波长低维半导体材料的光学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  边历峰
Adobe PDF(1296Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：759/13  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi GX;  Jin P;  Xu B;  Li CM;  Cui CX;  Wang YL;  Ye XL;  Wu J;  Wang ZG;  Shi, GX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gxshi@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(286Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：993/286  |  提交时间：2010/03/09
半导体纳米结构物理性质的理论研究 成果
2004
主要完成人:  夏建白;  李树深;  常凯;  朱邦芬
收藏  |  浏览/下载：1927/0  |  提交时间：2010/04/13
纳米结构  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JJ;  Di B;  Yang GC;  Li SS;  Liu, JJ, Hebei Normal Univ, Coll Phys, Shijiazhuang 050016, Peoples R China. 电子邮箱地址: Liujj@mail.hebtu.edu.cn
Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：864/261  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  边历锋;  江德生;  陆书龙
Adobe PDF(153Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：625/193  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张宝顺;  伍墨;  陈俊;  沈晓明;  冯淦;  刘建平;  史永生;  段丽宏;  朱建军;  杨辉
Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：964/301  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王勇刚;  马骁宇;  张丙元;  陈檬;  李港
Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：795/221  |  提交时间：2010/11/23