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| 用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李宝霞; 张靖; 杨华; 王圩
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang H (Yang Hua); Zhu HL (Zhu Hong-Liang); Pan JQ (Pan Jiao-Qing); Feng W (Feng Wen); Xie HY (Xie Hong-Yun); Zhou F (Zhou Fan); An X (An Xin); Bian J (Bian Jing); Zhao LJ (Zhao Ling-Juan); Chen WX (Chen Wei-Xi); Wang W (Wang Wei); Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yanghua@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙佳胤; 陈静; 王曦; 王建峰; 刘卫; 朱建军 ; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨华; 朱洪亮; 潘教青; 冯文; 谢红云; 周帆; 安欣; 边静; 赵玲娟; 陈娓兮; 王圩
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| 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵建华; 邓加军; 毕京峰; 牛智川; 杨富华; 吴晓光; 郑厚植
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 余金中; 陈少武; 夏金松; 王章涛; 樊中朝; 李艳萍; 刘敬伟; 杨笛; 陈媛媛
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| 一种减小霍尔器件失调电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑一阳; 韩海; 景士平; 梁平
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| 一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑一阳; 韩海; 景士平; 梁平
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| 高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑一阳; 韩海; 景士平; 梁平
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| 磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 董宏伟; 赵有文; 杨子祥; 焦景华
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