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半金属zb-CrAs 和稀磁半导体(Ga,Cr)As 薄膜分子束外延生长和磁性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  毕京锋
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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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