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| 基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张云霄; 廖栽宜; 周帆; 赵玲娟; 王圩 Adobe PDF(927Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1346/190  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 张莉萌; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 潘碧玮; 王圩 Adobe PDF(1606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:496/7  |  提交时间:2016/08/30 |
| 一种多片碳化硅半导体材料制造装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 闫果果; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 曾一平 Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:488/1  |  提交时间:2016/09/12 |
| 基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 张莉萌; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 潘碧玮; 王圩 Adobe PDF(739Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:508/3  |  提交时间:2016/09/12 |
| 可实现波长宽调谐的分布反射布拉格激光器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 余力强; 梁松; 赵玲娟; 张灿; 吉晨 Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:788/121  |  提交时间:2014/12/25 |
| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:895/103  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种原子层沉积设备 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22 发明人: 赵万顺; 张峰; 王雷; 曾一平 Adobe PDF(1224Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:634/48  |  提交时间:2014/12/25 |
| 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12 发明人: 杨少延; 张恒; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(894Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:683/79  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:907/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:859/85  |  提交时间:2014/10/29 |