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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张连;  魏学成;  路坤熠;  魏同波;  王军喜;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang B;  Li ZC;  Yao R;  Liang M;  Yan FW;  Wang GH;  Wang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lighting R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. wangbing@semi.ac.cn
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发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  纪攀峰;  李京波;  闫建昌;  刘乃鑫;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李璟;  王国宏;  李晋闽
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一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  纪攀峰;  李京波;  闫建昌;  刘乃鑫;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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低位错氮化镓的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  吴奎;  魏同波;  闫建昌;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王兵;  李志聪;  王国宏;  闫发旺;  姚然;  王军喜;  李晋闽
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一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李鸿渐;  李盼盼;  李璟;  王国宏;  李晋闽
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具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李璟;  王国宏;  魏同波;  张杨;  孔庆峰
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