| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法; 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 |
| 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法,包括：采用金属有机化学气相沉积的方法,在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层,形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台,在P-GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物；蒸镀结束后,向蒸发台腔室中充入水汽,控制相对湿度使P-GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜,对GaN外延片进行刻蚀,形成表面粗化的GaN外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀,形成台面；在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；在GaN外延片的上表面制作P电极,在台面上制作N电极,完成器件制备。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN102157640A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110064300.2
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23517
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李璟,王国宏,魏同波,等. 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法, 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法. CN102157640A.
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