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在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:  王晓亮;  罗卫军;  郭伦春;  肖红领;  李建平;  李晋闽 
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生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:  范海波;  杨少延;  张攀峰;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  陈涌海;  王占国 
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氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  王晓亮;  唐 健;  肖红领;  王翠梅;  冉学军;  胡国新;  李晋敏 
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一种恒温装置及其控制方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张日清;  刘祥林;  杨少延;  张晓沛;  董向芸
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倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  杨翠柏;  肖红领;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李晋闽
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采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  康亭亭;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Nie C;  Jiang RL;  Ji XL;  Xie ZL;  Liu B;  Han P;  Zhang R;  Zheng YD;  Nie C Nanjing Univ Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: nchbbc@gmail.com;  ndjrl@163.com;  jixiaoli2002@nju.org.cn;  xzl@nju.edu.cn;  mypostlb@163.com;  hanping@nju.cdu.cn;  rzhang@nju.edu.cn;  ydzheng@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, YS (Peng, Yin-Sheng);  Xu, B (Xu, Bo);  Ye, XL (Ye, Xiao-Ling);  Niu, JB (Niu, Jie-Bin);  Jia, R (Jia, Rui);  Wang, ZG (Wang, Zhan-Guo);  Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang B;  Lu YW;  Song HP;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zhang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhangbiao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai YQ;  Li JB;  Hou QF;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Li JM;  Li JB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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