氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
王晓亮; 唐 健; 肖红领; 王翠梅; 冉学军; 胡国新; 李晋敏 
2009-04-01
专利权人中科院半导体研究所
公开日期3990
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2007-09-26
语种中文
专利状态公开
申请号CN200710122478
专利代理人汤宝平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9180
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王晓亮,唐 健,肖红领,等. 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构[P]. 2009-04-01.
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