采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法
康亭亭; 刘祥林
2009-02-18
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2007-08-15
语种中文
申请号CN200710120284.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4301
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
康亭亭,刘祥林. 采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法[P]. 2009-02-18.
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