在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法
王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽 
2009-08-26
专利权人中科院半导体研究所
公开日期4005
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2008-02-20
语种中文
专利状态公开
申请号CN200810057890
专利代理人汤宝平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9084
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王晓亮,罗卫军,郭伦春,等. 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法[P]. 2009-08-26.
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