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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liu, SB; He, Z; Zheng, L; Liu, B; Zhang, F; Dong, L; Tian, LX; Shen, ZW; Wang, JZ; Huang, YJ; Fan, ZC; Liu, XF; Yan, GG; Zhao, WS; Wang, L; Sun, GS; Yang, FH; Zeng, YP Adobe PDF(856Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:713/141  |  提交时间:2015/03/20 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Fu YC (Fu Ying-Chun); Wang XF (Wang Xiao-Feng); Fan ZC (Fan Zhong-Chao); Yang X (Yang Xiang); Bai YX (Bai Yun-Xia); Zhang JY (Zhang Jia-Yong); Ma HL (Ma Hui-Li); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-Hua) Adobe PDF(2007Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:845/274  |  提交时间:2013/04/18 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang JY; Wang XF; Wang XD; Fan ZC; Li Y; Ji A; Yang FH; Wang, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jyzhang08@semi.ac.cn; wangxiaofeng@semi.ac.cn; fhyang@red.semi.ac.cn Adobe PDF(659Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1520/464  |  提交时间:2010/04/05 |
| 一种制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 黄亚军; 樊中朝; 王莉; 季安 Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:918/103  |  提交时间:2014/11/05 |
| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10 发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华 Adobe PDF(428Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:761/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21 发明人: 徐晓娜; 胡传贤; 樊中朝; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(1075Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:956/82  |  提交时间:2014/11/17 |
| 一种复合膜片压力传感器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224110.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓东; 樊中朝; 季安; 邢波; 杨富华 Adobe PDF(289Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1506/210  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 李迪; 贾利芳; 何志; 樊中朝; 杨富华 Adobe PDF(982Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:538/2  |  提交时间:2016/09/12 |
| 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 王晓峰; 黄亚军; 潘岭峰; 樊中朝; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:564/2  |  提交时间:2016/09/12 |
| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:618/5  |  提交时间:2016/08/30 |