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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Li JM (Li Jin-Min);  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Li JY (Li Jia-Ye);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liuxf@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye ZC;  Han PD;  Zhao CH;  Wang HJ;  Wu L;  Quan YJ;  Lu XD;  Hu XW;  Ye, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Qinghua E Rd,Jia 35, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yzhch@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng JJ;  Zhao JH;  Bi JF;  Zheng YH;  Jia QJ;  Niu ZC;  Wu XG;  Zheng HZ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi JF;  Zhao JH;  Deng JJ;  Zheng YH;  Li SS;  Wu XG;  Jia QJ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李国华;  马宝珊;  王文杰;  苏付海;  丁琨;  赵建华;  邓加军;  蒋春萍
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李雪;  陈俊;  何政;  赵德刚;  龚海梅;  方家熊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马宝珊;  王文杰;  苏付海;  邓加军;  蒋春萍;  刘海林;  丁琨;  赵建华;  李国华
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