SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究
李国华; 马宝珊; 王文杰; 苏付海; 丁琨; 赵建华; 邓加军; 蒋春萍
2006
Source Publication光散射学报
Volume18Issue:2Pages:106-114
Abstract理论分析了两种阻尼条件下重掺杂GaAs中的等离子体激元-LO声子耦合模,证实在小阻尼条件下耦合模的拉曼谱分为两支,而在大阻尼条件下只有一个耦合模可以被观测到。推导得到了只出现一个耦合模所需的最小阻尼的解析表达式。测量了Mn组分从2.6%到9%的GaMnAs合金的拉曼光谱。利用等离子体激元-LO声子耦合模理论进行了谱形拟合,得到了所测的GaMnAs合金中的空穴浓度。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2427013
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16621
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李国华,马宝珊,王文杰,等. GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究[J]. 光散射学报,2006,18(2):106-114.
APA 李国华.,马宝珊.,王文杰.,苏付海.,丁琨.,...&蒋春萍.(2006).GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究.光散射学报,18(2),106-114.
MLA 李国华,et al."GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究".光散射学报 18.2(2006):106-114.
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