无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
赵建华; 蒋春萍; 郑厚植; 邓加军; 杨富华; 牛智川
2006-08-09
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2005-02-04
语种中文
申请号200510006769
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3391
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
赵建华,蒋春萍,郑厚植,等. 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法[P]. 2006-08-09.
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