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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  郭瑜;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
Adobe PDF(960Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1529/198  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ren, YY (Ren Yun-Yun);  Xu, B (Xu Bo);  Wang, ZG (Wang Zhan-Guo);  Liu-Ming (Liu-Ming);  Long, SB (Long Shi-Bing);  Ren, YY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yunyun_ren@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang PF (Zhang, P. F.);  Liu XL (Liu, X. L.);  Wei HY (Wei, H. Y.);  Fan HB (Fan, H. B.);  Liang ZM (Liang, Z. M.);  Jin P (Jin, P.);  Yang SY (Yang, S. Y.);  Jiao CM (Jiao, C. M.);  Zhu QS (Zhu, Q. S.);  Wang ZG (Wang, Z. G.);  Zhang, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangpanf@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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高速CMOS 光接收机电路研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  刘金彬
Adobe PDF(1653Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：820/17  |  提交时间：2009/04/13
掺铒半导体材料的性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  卞留芳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘宗顺;  赵德刚;  朱建军;  张书明;  段俐宏;  王海;  史永生;  刘文宝;  张爽;  江德生;  杨辉
Adobe PDF(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1442/486  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  任丙彦;  刘晓平;  许颖;  王敏花;  廖显伯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  贾国治;  姚江宏;  张春玲;  舒强;  刘如彬;  叶小玲;  王占国
Adobe PDF(439Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1115/286  |  提交时间：2010/11/23