中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1199/171  |  提交时间：2009/06/11
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1260/176  |  提交时间：2009/06/11
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1189/193  |  提交时间：2009/06/11
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1060/158  |  提交时间：2009/06/11
一种半导体晶片亚表面损伤层的测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(589Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1024/168  |  提交时间：2009/06/11
以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1498/181  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Xu B;  Jin P;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1110/379  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi LW;  Chen YH;  Xu B;  Wang ZC;  Jiao YH;  Wang ZG;  Shi, LW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: Liweishi@semi.ac.cn
Adobe PDF(297Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1267/485  |  提交时间：2010/03/29
Kinetic Monte Carlo simulation of semiconductor quantum dot growth 会议论文
Nanoscience and Technology丛书标题: SOLID STATE PHENOMENA, Beijing, PEOPLES R CHINA, JUN 09-11, 2005
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Sun J;  Lei W;  Cui CX;  Yu LK;  Li K;  Wang ZG;  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(3368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1575/327  |  提交时间：2010/03/29
Monte Carlo Simulation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding F (Ding Fei);  Chen YH;  Tang CG;  Xu B (Xu Bo);  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Inst Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@semi.ac.cn
Adobe PDF(285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1020/275  |  提交时间：2010/03/29