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自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  王晓晖;  姚文卿;  刘祥林
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的偏振特性与半导体微腔效应的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:  刘文楷
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘文楷;  林世鸣;  曲延峰;  武术;  张存善
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  谭利文;  王俊;  王启元;  郁元桓;  刘忠立;  邓惠芳;  王建华;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘文楷;  林世鸣;  张存善
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张存善;  张延生;  段晓峰;  赵红东;  刘文楷
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  王占国;  胡文瑞;  林兰英
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