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| 无权访问的条目 学位论文 作者: 张楠
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 付秋瑜; 林清宇; 张万成; 吴南健
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 李元金; 张万成; 吴南健
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| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽
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| 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 肖红领; 王晓亮; 王军喜; 张南红; 刘宏新; 曾一平
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| Si(111)上GaN的NH3-MBE生长及MSM 紫外探测器研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005 作者: 张南红
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 刘喆 ; 王军喜; 李晋闽; 刘宏新; 王启元; 王俊; 张南红; 肖红领 ; 王晓亮; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 肖红领 ; 王晓亮; 张南红; 王军喜; 刘宏新; 韩勤 ; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郭维廉; 郑元芬; 沙亚男; 张培宁; 张世林; 李树荣; 郑云光; 陈弘达; 林世鸣; 芦秀玲
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| 氢气氛区熔单晶硅的一些性质 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 1981 作者: 张正南
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