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利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  刘文宝;  孙 苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  杨 辉
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一种III族氮化物衬底的生产设备 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  焦春美
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III 族氮化物结构与光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  张纪才
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III族氮化物材料的性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
作者:  曲宝壮
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