SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法
刘文宝; 孙 苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨 辉
2010-08-12
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2010-01-13 ; 2010-08-12
Country中国
Subtype发明
Abstract一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层;步骤2:将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝光,使具有图案的暴露的III族氮化物在紫外光辅助下发生氧化,生成金属氧化物;步骤3:去除掩蔽层;步骤4:将曝光后的III族氮化物的样品放在酸或碱性溶液中,将生成的金属氧化物完全腐蚀掉,形成带有图案的刻蚀台阶,完成湿法刻蚀III族氮化物的工艺。
Application Date2008-07-09
Language中文
Status实质审查的生效
Application NumberCN200810116414.5
Patent Agent汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13416
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘文宝,孙 苋,赵德刚,等. 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法[P]. 2010-08-12.
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