中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui CX;  Chen YH;  Zhao C;  Jin P;  Shi GX;  Wang YL;  Xu B;  Wang ZG;  Cui, CX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(347Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1020/320  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, SF;  Qin, GG;  You, LP;  Zhang, JC;  Fu, ZX;  Dai, L;  Dai, L, Peking Univ, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: lundai@ibm320h.phy.pku.edu.cn
Adobe PDF(200Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1080/239  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SY;  Niu ZC;  Ni HQ;  Wu DH;  He ZH;  Sun Z;  Han Q;  Wu RH;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(134Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1132/375  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Niu ZC;  Ni HQ;  Xu XH;  Xu YQ;  He ZH;  Han Q;  Wu RH;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：996/349  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui CX;  Chen YH;  Zhang CL;  Jin P;  Shi GX;  Zhao C;  Xu B;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(452Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1092/319  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Ye XL;  Wang ZG;  Jin, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: penjin@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：741/208  |  提交时间：2010/04/11
Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects 会议论文
2005 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials丛书标题: CONFERENCE PROCEEDINGS - INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, Glasgow, SCOTLAND, MAY 08-12, 2005
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China.
Adobe PDF(638Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1526/383  |  提交时间：2010/03/29
Encapsulated Czochralski Inp  Semiconductor Compound-crystals  Stimulated Current Spectroscopy  Current Transient Spectroscopy  Deep-level Defects  Annealing Ambient  Point-defects  Fe  Phosphide  Donors  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Li, JM;  Ling, LY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(188Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：848/299  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiao, HL;  Wang, XL;  Wang, JX;  Zhang, NH;  Liu, HX;  Zeng, YP;  Li, JM;  Wang, ZG;  Xiao, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Grp, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlxiao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：864/300  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  江德生;  刘建平;  杨辉
Adobe PDF(189Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：856/289  |  提交时间：2010/11/23