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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
陈平 [1]
甘华东 [1]
文献类型
会议论文 [4]
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2009 [2]
2008 [1]
2006 [1]
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出处
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun LL
;
Yan FW
;
Zhang HX
;
Wang JX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
;
Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: lilisuny@sohu.com
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提交时间:2010/04/03
Growth behavior of AlInGaN films
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Sendai, JAPAN, MAY 21-24, 2008
作者:
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Fang ZL
;
Liu BL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Kusakabe K
;
Ohkawa K
;
Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China.
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浏览/下载:2189/416
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提交时间:2010/03/09
Scanning Electron Microscope
Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G
会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:
Chen P
;
Lib SP
;
Tu XG
;
Zuo YH
;
Zhao L
;
Chen SW
;
Li JC
;
Lin W
;
Chen HY
;
Liu DY
;
Kang JY
;
Yu YD
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Pockels Effect
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Mocvd
Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As
会议论文
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, Madrid, SPAIN, MAY 04-08, 2008
作者:
Lu J
;
Bi JF
;
Wang WZ
;
Gan HD
;
Meng HJ
;
Deng JJ
;
Zheng HZ
;
Zhao JH
;
Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Magnetic Analysis