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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou GY;  Chen YH;  Yu JL;  Zhou XL;  Ye XL;  Jin P;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. yhchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu J;  Lu XQ;  Jin P;  Meng XQ;  Wang ZG
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan X;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Li W;  Wang WY;  Jin P;  Wang ZG
Adobe PDF(549Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1463/460  |  提交时间：2011/07/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu XQ;  Jin P;  Wang ZG;  Jin, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: pengjin@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(110Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1232/344  |  提交时间：2010/04/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lv XQ;  Jin P;  Wang WY;  Wang ZG;  Lv, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu N;  Jin P;  Wang ZG;  Liu, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pengjin@red.semi.ac.cn
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Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zhang ZY;  Li CM;  Jin P;  Meng XQ;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(47Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1418/302  |  提交时间：2010/10/29
Spectrum  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Meng XQ;  Jin P;  Li CM;  Qu SC;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Pan SH;  Ben Liang J;  Jin P,Nankai Univ,Dept Phys,Tianjin 300071,Peoples R China.
Adobe PDF(146Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：997/286  |  提交时间：2010/08/12