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GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12
发明人:  颜廷静;  苏艳梅;  王国东;  种 明
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一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人:  朱建军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Y;  Hu H;  Chen L;  Song G;  Zhuang W;  Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xuyun@red.semi.ac.cn
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一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-02, 公开日期: 4005
发明人:  魏同波
Adobe PDF(420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1033/214  |  提交时间:2010/03/19
光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  王晓东;  王国宏;  王良臣;  杨富华
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一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高永海;  张扬;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖
Adobe PDF(526Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1554/272  |  提交时间:2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Nie C;  Jiang RL;  Ji XL;  Xie ZL;  Liu B;  Han P;  Zhang R;  Zheng YD;  Nie C Nanjing Univ Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: nchbbc@gmail.com;  ndjrl@163.com;  jixiaoli2002@nju.org.cn;  xzl@nju.edu.cn;  mypostlb@163.com;  hanping@nju.cdu.cn;  rzhang@nju.edu.cn;  ydzheng@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang B;  Chen J;  Wang X;  Wu AM;  Luo JX;  Zhang MA;  Wu YX;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang B Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol State Key Lab Funct Mat Informat Shanghai 200050 Peoples R China. E-mail Address: bozhang@mail.sim.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, JH (Zhu, J. H.);  Wang, LJ (Wang, L. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Wang, H (Wang, H.);  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Qiu, YX (Qiu, Y. X.);  Yang, H (Yang, H.);  Zhu, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun LL;  Yan FW;  Zhang HX;  Wang JX;  Zeng YP;  Wang GH;  Li JM;  Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: lilisuny@sohu.com
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