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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH (Chen Y. H.);  Ye XL (Ye X. L.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su FH (Su F. H.);  Liu YF (Liu Y. F.);  Chen W (Chen W.);  Wang WJ (Wang W. J.);  Ding K (Ding K.);  Li GH (Li G. H.);  Joly AG (Joly A. G.);  McCready DE (McCready D. E.);  Chen, W, Univ Texas, Dept Phys, POB 19059, Arlington, TX 76019 USA. E-mail: fhsu@red.semi.ac.cn;  wchen@nomadics.com;  ghli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sheng SR (Sheng Shuran);  Hao HY (Hao Huiying);  Diao HW (Diao Hongwei);  Zeng XB (Zeng Xiangbo);  Xu Y (Xu Ying);  Liao XB (Liao Xianbo);  Monchesky TL (Monchesky Theodore L.);  Sheng, SR, Dalhousie Univ, Dept Phys & Atmospher Sci, Halifax, NS B3H 3J5, Canada. 电子邮箱地址: shuran.sheng@dal.ca
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JM;  Dong ZY;  Wei XC;  Duan ML;  Li JM;  Zhou, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu LF;  Chen NF;  Wang Y;  Yin ZG;  Yang F;  Chai CL;  Zhang X;  Liu, LF, Peking Univ, Inst Microelect, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lfliu@ime.pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH;  Jin P;  Liang LY;  Ye XL;  Wang ZG;  Martinez AI;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang CL;  Tang L;  Wang YL;  Wang ZG;  Xu B;  Zhang, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhangchl@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu LK;  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH;  Jin P;  Zhao C;  Sun J;  Ding F;  Hu LJ;  Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yulike@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li J;  Carrier P;  Wei SH;  Li SS;  Xia JB;  Li, J, Natl Renewable Energy Lab, Golden, CO 80401 USA.
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The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure 会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:  Ran, JX;  Wang, XL;  Hu, GX;  Li, JP;  Wang, JX;  Wang, CM;  Zeng, YP;  Li, JM;  Ran, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Aln  Impurities  Donor