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中国科学院半导体研究所机构知识库
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文献类型:会议论文
发表日期:2000
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MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yang H
;
Zhang SM
;
Xu DP
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Fu Y
;
Sun YP
;
Feng ZH
;
Zheng LX
;
Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Mocvd
Gan
Ingan
Cubic
Led
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Phase Epitaxy
Ingan Films
Electroluminescence
Zincblende
Wurtzite
Mbe
Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Luo XD
;
Xu ZY
;
Sun BQ
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Ge WK
;
Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ganas
Photoluminescence
Band Offset
Band Bowing Coefficient
Localized Exciton
Molecular-beam Epitaxy
Alloys
Temperature
Gaasn
VCSEL based optoelectronic multiple chip modules
会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:
Chen HD
;
Liang K
;
Du Y
;
Huang YZ
;
Tiang J
;
Ma XY
;
Wu RH
;
Li SY
;
Guo WL
;
Xu GJ
;
Wang Y
;
Chen HD Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1408/289
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提交时间:2010/10/29
Vcsel
Photodetector
Cmos
Mcm
Optoelectronic Integration
Optical Interconnects
Surface-emitting Lasers
Mqw Modulators
Integration
Circuits
Vlsi
Modulation magnesium-doping in AlGaN/GaN superlattices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Liu XL
;
Yuan HR
;
Lu DC
;
Wang XH
;
Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1025/178
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提交时间:2010/10/29
Mg-doped
Algan/gan Superlattices
Resistivity
Hole Concentration
Polarization
Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 72 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Wang QY
;
Nie JP
;
Yu F
;
Liu ZL
;
Yu YH
;
Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Solid Phase Epitaxy
SilicOn On Sapphire (Sos)
Carrier Mobility
Flip-chip bonded hybrid CMOS/SEED optoelectronic smart pixels
会议论文
IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS, 147 (1), CARDIFF, WALES, 1999
作者:
Chen HD
;
Liang K
;
Zeng QM
;
Li XJ
;
Chen ZB
;
Du Y
;
Wu RH
;
Chen HD Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1338/326
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提交时间:2010/11/15
Mqw Modulators
Effect Device
Progress
Circuits
Cmos
Energy band and acceptor binding energy of GaN and AlxGa1-xN
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Xia JB
;
Cheah KW
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Xia JB Hong Kong Bapitst Univ Dept Phys Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Acceptor Binding Energy
Hole Effective-mass Hamiltonian
Wurtzite Gan
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yuan HR
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Wang D
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1455/179
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提交时间:2010/10/29
Algan/gan Heterostructures
In-doping
2deg
Electron Sheet Density
X-ray Diffraction
Etching
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Phase Epitaxy
Mobility
Growth
Films
Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1999, (166), BERLIN, GERMANY, AUG 22-26, 1999
作者:
Wang H
;
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Ning D
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1014/186
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提交时间:2010/11/15
Electronic-structure
Carrier Relaxation
Energy-levels
Spectroscopy
Static and dynamic electric field domain formation in a doped GaAs/AlAs superlattice
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Wang JN
;
Sun BQ
;
Wang XR
;
Wang YQ
;
Ge WK
;
Jiang DS
;
Wang HL
;
Wang JN Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Superlattices
Gaas/alas
Electric Field Domains
Tunnelling
Oscillations