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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
叶小玲 [1]
徐波 [1]
文献类型
会议论文 [9]
发表日期
2004 [9]
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收录类别:CPCI\-S
发表日期:2004
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Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/10/29
Short-period Superlattices
Raman-scattering
Quantum-wells
Growth
Roughness
Segregation
Alas/gaas
Alas
Gaas
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
会议论文
MICRON, 35 (6), Wuhan, PEOPLES R CHINA, OCT 17-21, 2003
作者:
Luo XH
;
Wang RM
;
Zhang XP
;
Zhang HZ
;
Yu DP
;
Luo MC
;
Wang RM Peking Univ Electron Microscopy Lab Beijing 100871 Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
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提交时间:2010/10/29
Transmission Electron Microscopy
Electron Energy Loss Spectroscopy
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Nitride
Chemical-vapor-deposition
Epitaxy
Layer
Annealing ambient controlled deep defect formation in InP
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Zeng YP
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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提交时间:2010/10/29
Fe-doped Inp
Semiinsulating Inp
Point-defects
Pressure
Wafers
Traps
Electronic structure and optical property of semiconductor nanocrystallites
会议论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 30 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Xia JB
;
Chang K
;
Li SS
;
Xia JB Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xiajb@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Semiconductor Cluster
Self-assembled Quantum Dot
Diluted Magnetic Semiconductor
Electronic Structure
Resonant Tunneling
Quantum Dots
Exciton-states
Spheres
The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order
会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 338, Campos do Jordao, BRAZIL, AUG 25-29, 2003
作者:
Zhang S
;
Liao X
;
Xu Y
;
Martins R
;
Fortunato E
;
Kong G
;
Zhang S Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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提交时间:2010/11/15
Amorphous-silicon Films
Scattering
Absorption
Densities
Hydrogen
A V-shaped module technique for promoting generation photocurrent density of silicon solar cells
会议论文
FIFTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAY 31-JUN 02, 2004
作者:
Li, JM
;
Chong, M
;
Duan, XF
;
Xu, JD
;
Gao, M
;
Wang, FL
;
Li, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Silicon
Solar Cells
V-shaped Structure
Defects in GaSb studied by coincidence Doppler broadening measurements
会议论文
POSITRON ANNIHILATION, ICPA-13, PROCEEDINGS, 445-6, Kyoto, JAPAN, SEP 07-12, 2003
作者:
Hu WG
;
Wang Z
;
Dai YQ
;
Wang SJ
;
Zhao YW
;
Hu WG Wuhan Univ Dept Phys Wuhan 430072 Peoples R China. 电子邮箱地址: wangz@whu.edu.cn
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提交时间:2010/10/29
Coincidence Doppler Broadening
Defects
Gasb
Positron Annihilation
Shallow donor defect formation and its influence on semi-insulating indium phosphide after high temperature annealing with long duration
会议论文
SMIC-XIII2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Zhang, YH
;
Li, CJ
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Deep-level Defects
Fe-doped Inp
Grown Inp
Spectroscopy
Resonance
Wafer
Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Sun, GS
;
Ning, J
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
4h-sic
Lpcvd Homoepitaxial Growth
Thermal Oxidization
Mos Structures
Hot-wall Cvd