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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [10]
作者
焦春美 [2]
徐波 [1]
张敏 [1]
文献类型
专利 [5]
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发表日期
2008 [10]
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出处
SOLID STAT... [2]
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发表日期:2008
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35
40
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55
60
65
70
75
80
85
90
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WOS被引频次升序
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高温原位减薄硅基底的装置和方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘祥林
;
杨少延
;
焦春美
Adobe PDF(312Kb)
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浏览/下载:1671/268
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提交时间:2009/06/11
量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王志成
;
徐波
;
刘峰奇
;
陈涌海
;
王占国
;
石礼伟
;
梁凌燕
Adobe PDF(568Kb)
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浏览/下载:1734/222
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提交时间:2009/06/11
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
;
董向芸
;
张晓沛
;
范海波
;
魏宏源
;
张攀峰
;
王占国
Adobe PDF(1046Kb)
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浏览/下载:1395/138
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提交时间:2009/06/11
自动搅拌滴料桶
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:
王大拯
;
王俊
;
吕卉
;
李伟
;
刘秀英
;
张海艳
;
赖剑雷
;
刘素平
;
马骁宇
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浏览/下载:1251/184
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提交时间:2009/06/11
用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王保柱
;
王晓亮
;
王晓燕
;
王新华
;
肖红领
;
王军喜
;
刘宏新
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提交时间:2009/06/11
Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, NX
;
Liu, Z
;
Li, JM
;
Yan, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:2162/557
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提交时间:2010/03/09
Algan
Gan Template
A1n Interlayer
Mocvd
Crack
Interference Fringes
AlGaN layers grown on AlGaN buffer layer and GaN buffer layer using strain-relief interlayers - art. no. 68410S
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Liu, NX
;
Yan, JC
;
Liu, Z
;
Ma, P
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Liu, NX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Algan
Ht-algan Buffer
Ht-interlayers
Ultraviolet (Uv) Led
High Quality AlGaN Grown on GaN Template with HT-AlN Interlayer
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, Z
;
Liu, NX
;
Li, JM
;
Yan, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Diodes
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘素平
;
仲莉
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张海燕
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王翠鸾
;
冯小明
;
马骁宇
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
秦海琨
;
张敏
;
刘育梁
;
廖延彪
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提交时间:2010/11/23